Оперативная память Kingston ValueRAM [KVR16N11S6/2] 2 ГБ

Высокопроизводительная оперативная память Kingston ValueRAM [KVR16N11S6/2] – это ОЗУ, относящееся к типу DDR3, который предоставляет большую скорость транспортирования данных по шине. Эта экономичная память обладает резервом до 2 ГБ и обладает форм-фактором типа DIMM для скоростного поиска ошибок и неполадок, их незамедлительного устранения. Устройство имеет 1 модуль и отличается пропускной способностью в 12800 Мбит/сек. Частотность тактов в 1600 МГц обеспечивает комфортную работу с большими объемами текстов, архивов и баз. Тайминг предварительного процесса заряда банка, Row Precharge Delay, модели Kingston ValueRAM [KVR16N11S6/2] составляет 11 тактов. Столько же отводится для CAS-латентности и RAS to CAS Delay. Модуль оснащен 8 качественными и долговечными чипами. Требование по напряжению питания для такой оперативной памяти – 1.5 В. Она проста в использовании и взаимодействует с широким спектром устройств.

• Заводские данные
• Гарантия1 мес.
• Страна-производительТайвань (китай)
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельKingston ValueRAM
• Код производителя[KVR16N11S6/2]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR3
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта2 ГБ
• Объем одного модуля памяти2 ГБ
• Количество модулей в комплекте1
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Ранговостьодноранговая
• Быстродействие
• Тактовая частота1600 МГц
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)11
• RAS to CAS Delay (tRCD)11
• Row Precharge Delay (tRP)11
• Activate to Precharge Delay (tRAS)35
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота30 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.5 В