Оперативная память Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S/4G] 4 ГБ

Оперативная память Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S/4G] - идеальное решение для геймера, желающего проапгрейдить компьютер, увеличив его мощность и производительность при запуске ресурсоемких игр. Представленный модуль отличается качественной сборкой, предусматривающей 8-слойную печатную плату черной расцветки и отборные чипы памяти. Имеется эффектно выглядящий радиатор для эффективного отвода тепла. Каждая деталь плашки памяти свидетельствует о хороших технических параметрах, благодаря которым вы сможете добиться плавной работы компьютера с "тяжелыми" видеоиграми. Оперативная память Goodram IRDM X [IR-X2666D464L16S/4G] принадлежит к типу DDR4, обеспечившему ее низким энергопотреблением. Имеющий форм-фактор DIMM модуль обладает объемом 4 ГБ. Тактовая частота имеет нешуточный показатель - 2666 МГц, при этом возможна работа плашки памяти на частотах 1600, 1866, 2133, 2400 МГц помимо максимальной. Тайминги представленной модели - 16-18-18-35. Высота модуля оперативной памяти равняется 34 мм. Необходимое для его работы напряжение питания должно соответствовать 1.35 В.

• Заводские данные
• Гарантия1 мес.
• Страна-производительТайвань (китай)
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельGoodram IRDM X
• Код производителя[IR-X2"D464L16S/4G]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR4
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
• Объем одного модуля памяти4 ГБ
• Количество модулей в комплекте1
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Быстродействие
• Тактовая частота2" МГц
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)16
• RAS to CAS Delay (tRCD)18
• Row Precharge Delay (tRP)18
• Activate to Precharge Delay (tRAS)35
• Конструкция
• Наличие радиатораесть
• Подсветка элементов платынет
• Высота34 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.35 В