Оперативная память Goodram [GR1333D364L9S/4G] 4 ГБ

4-гигабайтная оперативная память Goodram [GR1333D364L9S/4G] используется для комплектации системных блоков офисного класса, рассчитанных на использование памяти DDR3. Модуль может использоваться как в единственном числе, так и в комбинации с другими модулями. Уровень качества устройства, обеспечиваемый производителем, достаточен для обеспечения стабильности функционирования при любой интенсивности работы. Оперативная память Goodram [GR1333D364L9S/4G] использует тактовую частоту 1333 МГц. Если материнская плата вашего компьютера не имеет поддержки этой частоты, то это не станет проблемой, благодаря поддержке частот 800 и 1066 МГц. Пропускная способность модуля соответствует типовому показателю для памяти DDR3 такого класса: величина этого показателя равна 10600 МБ/с. Устройство памяти соответствует таймингам 9-9-9-24. Оперативная память Goodram [GR1333D364L9S/4G] произведена с использованием одностороннего расположения чипов. Высота устройства – 30 мм. Напряжение питания памяти стандартно: 1.5 В. Информация о параметрах памяти размещена на компактной наклейке.

• Заводские данные
• Гарантия1 мес.
• Страна-производительТайвань (китай)
• Общие параметры
• Типоперативная память
• МодельGoodram
• Код производителя[GR1333D364L9S/4G]
• Объем и состав комплекта
• Тип памятиDDR3
• Форм-фактор памятиDIMM
• Суммарный объем памяти всего комплекта4 ГБ
• Объем одного модуля памяти4 ГБ
• Количество модулей в комплекте1
• Регистровая памятьнет
• ECC-памятьнет
• Быстродействие
• Тактовая частота1333 МГц
• Профили Intel XMPнет
• Тайминги
• CAS Latency (CL)9
• RAS to CAS Delay (tRCD)9
• Row Precharge Delay (tRP)9
• Activate to Precharge Delay (tRAS)24
• Конструкция
• Наличие радиаторанет
• Подсветка элементов платынет
• Высота30 мм
• Низкопрофильная (Low Profile)нет
• Дополнительно
• Напряжение питания1.5 В